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上电互连信号

技术#20140089

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CircuitElectromigrationCircuit Pin
类别
研究人员
萨钦sapatnekar博士
教授,电气和计算机工程,澳门新葡新京
外部链接 (ece.umn.edu)
维韦克·米什拉博士
电气和计算机工程,澳门新葡新京
palkesh耆那教,博士
里卡多·雷斯,博士
联邦大学南里奥格兰德州,巴西
gracieli posser博士
联邦大学南里奥格兰德州,巴西
由...管理
凯文镍
技术授权官 612-625-7289
专利保护
美国专利9665680
出版物
用于分析和优化细胞内部信号电迁移的系统方法
计算机辅助设计IEEE / ACM国际会议,消化技术论文,ICCAD。 2015年, 。第486 - 491 2014
电池内电:分析和引脚布局优化的基础
关于集成电路和系统的计算机辅助设计的ieee交易, 第一卷。 35,没有。 2,第220 - 231,2016年2月

有效地表征细胞内部电

一个标准的小区内接通信号互连电池内电迁移(EM)的问题是使用这种技术,能有效地表征在标准细胞库的门的EM特性解决了,在所有针位置,基于单个电路仿真和基于图方法。该方法使用焦耳热效应进行建模和高效地表征细胞内部的EM分析大量基准电路的寿命。一个相关的方法,通过一个电路内的门变更销的位置来优化电路的寿命。这个过程已经证明在电路寿命的约60%的增加。

电路寿命的优化

基于标准单元的栅极库是集成电路设计的基础。电迁移(EM)在芯片上金属互连是在纳米级的技术的一个关键可靠性失效机理,并且在集成电路的日益严重的问题,降低电路的寿命。传统上,EM影响了全球的电线,但在当前和未来的技术,内门线也将显著影响。目前,EM检查在现有技术专案执行;没有电流方法系统地执行小区内部EM或分配销的位置,以增加一个使用各种标准单元的电路的寿命。这种技术提供了一个分析单元级EM和将其转换成的电路级寿命的分析和优化的系统的计算效率的方法。

好处和特点:

  • 模型和有效的特点细胞内EM
  • 特点在所有的旗杆位置在标准单元库的门的电磁特性
  • 分析大基准电路的寿命
  • 优化电路寿命
  • 焦耳加热效果
  • 解决了电池内部的电磁问题
  • 近似60%增加电路寿命

应用:

  • 集成电路设计
  • 电路设计

发展阶段 - 原型开发

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