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方法直接制造片式电感器的半导体基板上

技术#20150029

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图库
CVCIron Nitride
类别
研究人员
建平王,博士
教授,电气和计算机工程
外部链接 (ece.umn.edu)
延锋江
研究员,电气和计算机工程
由...管理
凯文镍
技术授权官 612-625-7289
专利保护

我们正在申请专利20160042846
出版物
minnealloy:具有高饱和磁通密度和低磁各向异性的新磁性材料
物理学杂志d:应用物理学, 2017年8月22日;体积50中,号码37

氮化铁多层结构制剂直接施加到基底

用于制造片式电感器的新方法,使用化学沉积制备软磁体材料(包括铁,氮和碳,硼,或氧气)在不同基板上。多层结构与化学气相沉积(CVD)和液相外延(LPE)制成。巨饱和磁化强度,该方法获得具有理想的软磁特性(低各向异性)的集成电感。薄膜设有一个理想的各向异性,并且可以沉积在特定区域上衬底(例如,硅,砷化镓,碳化硅,砷化铟镓,氧化镁,SI +的SiO 2等)。方法制备fe16n2,(NC)2薄膜FE16或可被图案化,以形成直接与增强的磁特性的电感器,在大规模和低成本fe16n2 / FE16(NC)2的多层结构。 CVD法在任一液体前体使用的原料(三氯化铁或Fe(CO)5)或固体一(Fe或FeO计),并且可用于直接与高饱和磁化值的半导体衬底上生长的电感器和可调各向异性。这一技术产生的电感器包括软磁性材料(例如,铁,氮,碳,硼或氧)。

薄膜生长速度更快,更高质量的

氮化铁材料已知具有用于在电磁设备的应用有吸引力的磁特性,例如磁性记录头,变压器,电感器和传感器。而几种方法进行了探讨,以准备这些材料,现有的方法是昂贵的,具有生长速度缓慢,使它们不适合大规模的商业应用。这种新颖的用于制备铁氮化物的多层结构的方法更具成本效益,并提供更快的生长速度(通过化学沉积薄膜生长速度比MBE的速度更快,并且生长质量比的溅射法更好)。该技术是与现有的CMOS技术在IC行业,并且可以被用于制造在半导体衬底上电感器兼容。

好处和特点:

  • 准备氮化铁多层结构
  • 直接生长电感半导体基板上
  • 改进的磁特性
  • 规模大
  • 更低的花费
  • 使用液体或固体前体

应用:

  • fe16n2,FE16(NC)2个薄膜或fe16n2 / FE16(NC)2的多层结构
  • 提高效率,整合电感为IC的
  • 图案化,以直接在芯片上形成电感器的层
  • 电感器
  • 记录介质
  • 变形金刚

发展阶段 - 概念

实验证明了该方法的工作原理,fe16n2薄膜和FE16(NC)2薄膜获得。该方法提出了作为一种方法来制备半导体芯片上电感器。

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学校依托行业合作伙伴扩展技术,足够大的产能用于商业用途。该许可证可用于这项技术,并会为销售,生产或使用颁发的专利声称产品。请联系 凯文镍 分享您的业务需求,并在该技术的技术的兴趣,如果你有兴趣在技术授权进行进一步的研究和开发。