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全写入和读出功能的双端存储设备

技术#20160423

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图库
Spin HallCrossbar Memory
类别
研究人员
建平王,博士
教授,电气和计算机工程
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由...管理
凯文镍
技术授权官 612-625-7289
专利保护

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出版物
单向旋大厅和拉什巴-埃德尔斯坦磁阻在拓扑绝缘体 - 铁磁层的异质结构
自然通讯, 2018年1月9日; 9,111

结合自旋霍尔效应和单向自旋霍尔磁

一个双端存储设备结合了开关/写和用于检测/读单向旋大厅磁阻(USMR)自旋霍尔效应。存储装置,具有两个端子写和读操作,就像一个MTJ但携带更大的开关效率。写,一个强脉冲跨器件施加,使得自旋通过在信道自旋霍尔效应产生且由顶部磁体吸收。然后磁化切换从左到右。阅读,温和的正弦波调制被施加和电压信号被感测。此设备可以支持磁性横杆存储器,三维存储器结构和磁存储器体系结构的计算。器件制造是简单得多比三端自旋霍尔开关器件和它的设计允许晶片规模生产。

更有效的自旋 - 轨道扭矩嵌入到横杆存储器

该器件结合通过旋霍尔效应或TIS作为写入机制的自旋 - 轨道扭矩切换,与USMR作为读取机构。它是一个存储器/逻辑器件的一个简单但可能是强大的设计和功能仅具有两个端子,从而允许更有效的SOT开关,而两个端子设计允许它被容易地嵌入到成熟横杆存储器架构中,具有或不具有选择器(例如,在STT-RAM与MTJ的使用)。这种技术允许与自旋霍尔效应的面内磁化的切换和读取的磁化状态不添加的第三端子,从而使其克服所有当前自旋霍尔器件的限制(三端子)的两终端自旋霍尔装置内存和一些计算应用。

好处和特点:

  • 结合自旋霍尔效应(写入机制)与USMR(读取机构)
  • 二端设计
  • 可以与其他效果的组合,包括电场和应变的影响,以进一步协助切换
  • 与目前的STT-RAM技术容易通过
  • 就像一个MTJ但携带更大的交换效率
  • 可以支持磁性横杆存储器和3d存储器架构

应用:

  • 自旋存储器和逻辑
  • 电子行业
  • 移动设备
  • STT-RAM技术

发展阶段 - 早/物理观测